Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
806 мВт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное сопротивление стока источника:
400 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.1 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
3.2 нКл при 5 В, 5.9 нКл при 10 В
Datasheet