Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET, 6.9 A, 8.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS6900AS, МОП-транзистор

6710643
Номер производителя: FDS6900ASПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
101.40 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

PowerTrench® SyncFET™ Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor

Designed to minimise losses in power conversion, while maintaining excellent switching performance
High Performance Trench Technology for extremely low RDS(on)
SyncFET™ benefits from an efficient Schottky body diode
Applications in Synchronous Rectification DC-DC Converter, Motor Drives, networking point of load Low Side Switch

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Техническая спецификация
pdfTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-SOIC
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.5мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Серия
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное сопротивление стока источника:
22 мОм, 27 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6.9 A, 8.2 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
PowerTrench, SyncFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOIC
Типичный заряд затвора при Vgs:
10 нКл при 10 В, 11 нКл при 10 В
Ширина:
3.99мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию