Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 onsemi NDT452AP, МОП-транзистор

6711100
Номер производителя: NDT452APПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
288.60 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

•Voltage controlled P-Channel small signal switch
•High-Density cell design
•High saturation current
•Superior switching
•Great rugged and reliable performance
•DMOS technology

Applications:

•Load Switching
•DC/DC converter
•Battery protection
•Power management control
•DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Техническая спецификация
pdfTrans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin SOT-223
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.6мм
Длина:
6.5мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
3 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное сопротивление стока источника:
65 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
5 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-223
Типичный заряд затвора при Vgs:
22 нКл при 10 В
Ширина:
3.56мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию