* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Техническая спецификация
MJD2955 MJD3055 COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS Data SheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
2 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
20 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
70 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
10 A
Минимальное усиление постоянного тока:
20
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
2.4 x 6.6 x 6.2мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |