* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
General Purpose PNP Transistors, STMicroelectronics
The STMicroelectronics low voltage fast-switching PNP power transistor new using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
Very low collector-emitter saturation voltage
High current gain characteristic
Fast-switching speed
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Техническая спецификация
Transistor Bipolar PNP 40V 5A SOT223ESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
6 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
40 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-40 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-5 A
Минимальное усиление постоянного тока:
50
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
1.8 x 6.3 x 3.3мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
SOT-223 (SC-73)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |