* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Техническая спецификация
MJD112 MJD117 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Data SheetMJD112, MJD117, Complementary Power Darlington TransistorsESD Control Selection Guide V1Высота:
2.4мм
Длина:
6.6мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
4 В
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
100 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
3 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
4 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.02мА
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Ширина:
6.2мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |