* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
9.1мм
Длина:
38.2мм
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
3 В
Максимальное напряжение база-эмиттер:
7 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
450 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
2 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
84 A
Минимальное усиление постоянного тока:
120
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
38.2 x 25.5 x 9.1мм
Тип монтажа:
Крепление на панель
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
ISOTOP
Ширина:
25.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |