* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
MOSFET N-ch 25A 100V STripFET II DPAKESD Control Selection Guide V1Высота:
2.4мм
Длина:
6.6мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
100 Вт
Максимальное напряжение входа:
-16 В, +16 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
35 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
25 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STripFET II
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
38 нКл при 5 В
Ширина:
6.2мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |