* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
MOSFET N-ch 11A 800V MDmesh TO220FPESD Control Selection Guide V1Высота:
9.3мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
35 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
800 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
400 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
11 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
MDmesh
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220FP
Типичный заряд затвора при Vgs:
43.6 нКл при 10 В
Ширина:
4.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |