Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

onsemi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

6881509
Номер производителя: MJD122GПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
257.40 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
2.38мм
Длина:
6.73мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
4.5 В
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
100 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
4 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
8 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.01мА
Минимальное усиление постоянного тока:
100
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Ширина:
6.22мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию