* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
QS5K2_EESD Control Selection Guide V1Высота:
0.85мм
Длина:
2.9мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
5
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Common Source
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.25 Вт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +12 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
100 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
2 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSMT-5
Типичный заряд затвора при Vgs:
2.8 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |