* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
MOSFET N-Channel, SSM3K Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.7мм
Длина:
1.2мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
500 мВт
Максимальное напряжение входа:
-10 В, +10 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.52 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
500 мА
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SSM3
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
UFM
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.23 нКл при 4 В
Ширина:
1.7мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |