* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual MOSFET N-Channel SSM6Nxx, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
SSM6N35FU, Dual MOSFET N-Channel 1.2V DriveESD Control Selection Guide V1Высота:
0.9мм
Длина:
1.25мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 мВт
Максимальное напряжение входа:
-10 В, +10 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
20 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
180 мА
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SSM6
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
US6
Ширина:
1.25мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |