* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
MOSFET N-Channel, TPCxxxx, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.5мм
Длина:
6мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.9 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
24.2 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
9 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TPC
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOP
Типичный заряд затвора при Vgs:
13 нКл при 5 В, 25 нКл при 10 В
Ширина:
4.4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |