* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
Si7501DN Complementary 30-V (D-S) MOSFET Data SheetВысота:
1.04мм
Длина:
3.05мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт
Максимальное напряжение входа:
-25 В, -20 В, +20 В, +25 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное сопротивление стока источника:
35 мОм, 51 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
5.4 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212
Типичный заряд затвора при Vgs:
12.5 nC @ 10 V, 9 nC @ 10 V
Ширина:
3.05мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |