* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual Bipolar Transistors, ROHM
Two transistors per an integrated circuit semiconductor package.
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
EMT1 / UMT1N / IMT1A General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) Data SheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рабочая частота:
140 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
6 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-50 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-150 mA
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
0.9 x 2 x 1.25мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
UMT
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |