* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Simple drive requirement
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
Trans MOSFET N-CH 500V 8AESD Control Selection Guide V1Высота:
4.83мм
Длина:
10.67мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
500 В
Максимальное сопротивление стока источника:
850 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
8 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs:
38 нКл при 10 В
Ширина:
9.65мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |