Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay Si4134DY-T1-GE3, МОП-транзистор

7103320
Номер производителя: Si4134DY-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
206.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Техническая спецификация
pdfTrans MOSFET N-CH 30V 9.9A N
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.5мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное сопротивление стока источника:
14 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
9.9 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOIC
Типичный заряд затвора при Vgs:
15.4 nC @ 10 V, 7.3 nC @ 4.5 V
Ширина:
4мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию