* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
26.16мм
Длина:
19.96мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
500 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
500 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
100 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
48 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HiperFET
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-264AA
Типичный заряд затвора при Vgs:
270 нКл при 10 В
Ширина:
5.13мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |