* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Техническая спецификация
BD135 - BD136, BD139 - BD140, Complementary Low Voltage TransistorESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.25 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
45 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
45 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
3 A
Минимальное усиление постоянного тока:
100, 40
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-32
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |