* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
MOSFET N-ch 1A 800V SuperMESH DPAKESD Control Selection Guide V1Высота:
1.8мм
Длина:
6.5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
800 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
16 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
250 мА
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
MDmesh, SuperMESH
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-223
Типичный заряд затвора при Vgs:
7.7 нКл при 10 В
Ширина:
3.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |