Количество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
1.9 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.25 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
1.3 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
1 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.00005мА
Минимальное усиление постоянного тока:
1000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
6.7 x 3.7 x 1.7мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление