Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
1.5 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
330 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
10 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
1 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
500 мА
Максимальный ток коллекторный отсечки:
10мкА
Минимальное усиление постоянного тока:
2000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
NPN Darlington Transistor