* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Техническая спецификация
NPN Silicon Planar Medium Power Darlington TransistorsESD Control Selection Guide V1Высота:
4.01мм
Длина:
4.77мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
10 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
1.25 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
800 мА
Максимальный ток коллекторный отсечки:
100нА
Минимальное усиление постоянного тока:
5000
Рабочая температура - максимальная:
+200 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
4.77 x 2.41 x 4.01мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-92
Ширина:
2.41мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |