* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Техническая спецификация
SOT223 NPN Silicon Planar Medium Power High Gain TransistorESD Control Selection Guide V1Высота:
1.65мм
Длина:
6.55мм
Количество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
0.9 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
180 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
180 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
0.25 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
500 мА
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.1мкА
Минимальное усиление постоянного тока:
150
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
6.55 x 3.55 x 1.65мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-223
Ширина:
3.55мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |