* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
N-Channel Enhancement Mode Vertical Dmos FetDatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.3мм
Длина:
3мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
Максимальное напряжение входа:
-40 В, +40 В
Максимальное напряжение стока источника:
250 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.8В
Максимальное сопротивление стока источника:
9.5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
230 мА
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Типичный заряд затвора при Vgs:
2.6 нКл при 10 В
Ширина:
1.75мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |