* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
N-Channel Enhancement Mode Vertical Dmos FetESD Control Selection Guide V1Высота:
4.01мм
Длина:
4.77мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
4.5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
320 мА
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-92
Ширина:
2.41мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |