* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
General Purpose PNP Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Техническая спецификация
BC856S/U_BC857S, PNP Silicon AF Transistor ArrayESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рабочая частота:
250 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-65 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-100 мА
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
2 x 1.25 x 0.8мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
SOT-363 (SC-88)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |