* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
General Purpose PNP Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Техническая спецификация
BC857/BC858/BC859/BC860, PNP Silicon AF TransistorESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
250 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
330 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
50 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-45 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-100 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
SOT-23
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |