* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Техническая спецификация
BCV61, NPN Silicon Double TransistorESD Control Selection Guide V1Высота:
0.9мм
Длина:
2.9мм
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
2
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
900 мВ
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
6 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
30 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
30 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
600 мВ
Максимальный непрерывный ток коллектора:
100 мА
Максимальный ток коллекторный отсечки:
5мкА
Минимальное усиление постоянного тока:
100
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-143
Ширина:
1.3мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |