* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Техническая спецификация
BSP60-BSP62, PNP Silicon Darlington TransistorESD Control Selection Guide V1Высота:
1.6мм
Длина:
6.5мм
Количество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
2.2 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
45 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
1.8 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
1 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
10мкА
Минимальное усиление постоянного тока:
1000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
SOT-223
Ширина:
3.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |