Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 98 A, 120 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC077N12NS3GATMA1, МОП-транзистор

7545285
Номер производителя: BSC077N12NS3GATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт.
366.60 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.1мм
Длина:
5.35мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
139 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
120 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
7.7 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
98 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS 3
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TDSON
Типичный заряд затвора при Vgs:
66 нКл при 10 В
Ширина:
6.1мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию