* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.1мм
Длина:
2.9мм
Запирающий ток сток-исток Idss:
0.3 to 0.75mA
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Конфигурация:
Single
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальное напряжение входа:
-30 В
Максимальное напряжение потребления ворот:
-50В
Максимальное напряжение стока источника:
10 В
Рабочая температура - максимальная:
+125 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-346 (SC-59)
Ширина:
1.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |