* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
RF MOSFET Transistors, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.6мм
Длина:
4.6мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
3 Вт
Максимальное напряжение входа:
+25 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.4В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
2SK
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SC-62
Типичный коэффициент усиления по мощности:
14.9 дБ
Ширина:
2.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |