Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Infineon IRLML2244TRPBF, МОП-транзистор

7604438
Номер производителя: IRLML2244TRPBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
117.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

-20V Single P-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a SOT-23 package

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Summary of Features

  • Industry standard surface-mount power package

  • Product qualification according to JEDEC standard

  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz

  • Softer body-diode compared to previous silicon generation

Benefits

  • Standard pinout allows for drop in replacement

  • Industry standard qualification level

  • High performance in low frequency applications

  • Increased power density

Potential Applications

  • Battery protection

  • SMPS

  • DC switch

  • Load switch

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.02мм
Длина:
3.04мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.3 Вт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +12 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
95 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4.3 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.4В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Типичный заряд затвора при Vgs:
6.9 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.4мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию