* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel MDmesh™ K3 series, SuperMESH3™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
N-channel 450 V, 3.2 Ohm, 1.8 A, SOT-223 SuperMESH3(TM) Power MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
1.8мм
Длина:
6.7мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
450 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
3.8 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
600 мА
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Режим канала:
Enhancement
Серия:
MDmesh K3, SuperMESH3
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-223
Типичный заряд затвора при Vgs:
6 нКл при 10 В
Ширина:
3.7мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |