* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
N-channel 60 V, 0.0024 Ohm, 120 A, I2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
15.75мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
3.7 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
120 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
DeepGate, STripFET
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220
Типичный заряд затвора при Vgs:
183 нКл при 10 В
Ширина:
4.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |