* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel MDmesh™ K3 series, SuperMESH3™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
N-channel 950 V, 0.32 Ohm, 22 A, TO-247 SuperMESH3(TM) Power MOSFETВысота:
20.15мм
Длина:
15.75мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
400 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
950 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
360 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
22 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
MDmesh K3, SuperMESH3
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
105 нКл при 10 В
Ширина:
5.15мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |