* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
N-channel 100 V, 0.025 Ohm, 50 A DPAK low gate charge STripFET(TM) II Power MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
2.4мм
Длина:
6.6мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
125 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
28 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
50 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STripFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
46.5 нКл при 10 В
Ширина:
6.2мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |