N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STD10NM60N, STF10NM60N, STI10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60N, N-channel 600V, 0.53 Ohm typ., 10A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and IPAK packagesESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
70 Вт
Максимальное напряжение входа:
-25 В, +25 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
550 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
10 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Типичный заряд затвора при Vgs:
19 нКл при 10 В
