* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
All features
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
N-channel 600 V, 0.28 Ohm, 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAKESD Control Selection Guide V1Высота:
16.4мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
25 Вт
Максимальное напряжение входа:
-25 В, +25 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
360 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
11 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
MDmesh
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220FP
Типичный заряд затвора при Vgs:
30 нКл при 10 В
Ширина:
4.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |