Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
Максимальное напряжение входа:
-6 В, +6 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
9.5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
915 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.82 нКл при 4.5 В
Datasheet