Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
75 Вт
Максимальное напряжение входа:
-15 В, +15 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
90 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
25 A
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
15 нКл при 5 В
Datasheet