* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Техническая спецификация
High-Current Complementary Silicon Transistors DatasheetESD Control Selection Guide V1MJ11033 Package DrawingВысота:
8.51мм
Длина:
38.86мм
Количество контактов:
2
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
4.5 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
120 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
120 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
3.5 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
50 A
Минимальное усиление постоянного тока:
400
Рабочая температура - максимальная:
+200 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
38.86 x 26.67 x 8.51мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
TO-204
Ширина:
26.67мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |