* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
The ON Semiconductor TIP120G is a medium power NPN Darlington bipolar power transistor. It is designed to be used as an output device for general purpose amplifier and low-speed switching applications.
The TIP120G comes in a plastic TO-220AB through-hole package.
• High DC Current Gain
• Low collector-emitter saturation voltage
• Monolithic Construction
• Built-in Base Emitter Shunt Resistor
• Compact package
• NPN Polarity
Versions Available:
774-3653 - pack of 10
103-5146 - tube of 50
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
4.82мм
Длина:
15.75мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
65 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
4 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
8 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.5мА
Минимальное усиление постоянного тока:
1000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
15.75 x 10.28 x 4.82мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-220
Ширина:
10.28мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |