Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.1 A, 4.6 A, 20 V, 6-Pin WDFN onsemi NTLJD3119CTBG, МОП-транзистор

7800655
Номер производителя: NTLJD3119CTBGПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
199.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
0.75мм
Длина:
2мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.3 Вт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +8 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
120 мОм, 200 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4.1 A, 4.6 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
WDFN
Типичный заряд затвора при Vgs:
3.7 нКл при 4.5 В, 5.5 нКл при 4.5 В
Ширина:
2мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию