Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
330 мВт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +8 В
Максимальное напряжение стока источника:
8 В
Максимальное сопротивление стока источника:
210 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.5 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.45В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
6.4 нКл при 5 В
Datasheet