* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.6мм
Длина:
1.7мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
280 мВт
Максимальное напряжение входа:
-6 В, +6 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
2 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
430 мА
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-563
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.7 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.3мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |