* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
4.8мм
Длина:
15.25мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
315 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
2.3 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
180 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2.5В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STripFET H7
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
H2PAK-6
Типичный заряд затвора при Vgs:
180 нКл при 10 В
Ширина:
10.4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |