* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
Si1032R/X, N-Channel 1.5V (Gate-Source) MOSFET Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.8мм
Длина:
1.68мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
280 мВт
Максимальное напряжение входа:
-6 В, +6 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное сопротивление стока источника:
9 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
200 мА
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.4В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SC-75
Типичный заряд затвора при Vgs:
750 нКл при 4.5 В
Ширина:
0.86мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |